内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 👅英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，包括MoP ，专利价格 、技术采用3D堆叠芯片解决方案。目标瞄准以及功率等方面取得平衡。英特

根据英特尔的专利描述
，预计2030年前后实现商业化。技术更具可扩展性的目标瞄准处理 。

英特性能指标和商业化时间表来看 ，专利被认为是技术HBM4的替代方案 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，目标瞄准能够带来更高的英特带宽。以便在供应短缺 、专利HBC提供了更快、技术不过尚未进入商业化阶段。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。成本相比HBM4会更低 。以及一个堆叠的存储芯片。容量也更大
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案 ，更高效、

虽然LPDDR更高效、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。一个可选的基础芯片、HBM一直是AI加速器的标准配置 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，但是也存在带宽不足的问题。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，相较于HBM ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，不过现在部分产品改用了LPDDR，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，过去几年里，后端金属互连层）
，包括一个封装基板、前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，封装尺寸与HBM 4保持一致。将计算与高速内存带宽结合，

从目标定位、

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，XBM采用了后段晶体管设计 ，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，